O.KOUCH & MASAO DOYAMA: "COMPUTER SIMULATION OF THE ELECTRUN OCLUPATION AT DEFECT AND IMPURITY LEVELSIN SILICON" JRANSACTION OF MATERIALS RESEARCH SOUETY OF JAPAN. (1994)
O.KOUCH & MASAO DOYAMA: "COMPUTER SIMULATION OF THE ELECTRUN OCLUPATION AT DEFECT AND IMPURITY LEVELSIN SILICON" JRANSACTION OF MATERIALS RESEARCH SOUETY OF JAPAN. (1994)
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奥库奇
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