Electric Characteristics of Si_3N_4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si(110)and Si(100)Surfaces
Electric Characteristics of Si_3N_4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si(110)and Si(100)Surfaces
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Si(110)和Si(100)表面直接自由基氮化Si_3N_4薄膜的电学特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaaki HIGUCHI
中科院分区：
文献类型：
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作者：
一色秀夫;牛山智幸;中島崇之;王興軍;木村忠正;竹谷純一;T. Seo;Masaaki HIGUCHI
