Characterization analysis and gate driver design for 1200 V 10A SiC MOSFET
Characterization analysis and gate driver design for 1200 V 10A SiC MOSFET
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1200 V 10A SiC MOSFET 特性分析和栅极驱动器设计
DOI：
10.1142/s0217984918400808
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发表时间：
2018
影响因子：
1.9
通讯作者：
Li Yuan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhai Mingjing;Yang Yuan;Wen Yang;Yao Wenqing;Li Yuan
