半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における偏光ルミネッセンスの温度特性
半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における偏光ルミネッセンスの温度特性
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半极性{11-22}InGaN/GaN量子阱中偏振发光的温度特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
向井孝志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
上田雅也;船戸充;川上養一;成川幸男;向井孝志
