Cryogenic 8–18 GHz MMIC LNA using GaAs PHEMT
Cryogenic 8–18 GHz MMIC LNA using GaAs PHEMT
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使用 GaAs PHEMT 的低温 8–18 GHz MMIC LNA
DOI：
10.1109/apmc.2013.6695113
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Huei Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chau;Ding;Ching;Yuh;Ming;Huei Wang
8-18 GHz MMIC LNA 采用 0.15 μm GaAs pHEMT 工艺设计和制造。峰值 LNA 在室温下的增益超过 23 dB，在 17.5 K 时增益超过 27 dB。在 18 GHz 时，室温噪声系数为 1.5 dB，17.5 K 时的最佳有效噪声温度为 20 K。然后将 LNA 的测量噪声数据拟合为温度相关模型。得出的等效漏极温度与漏极电流成正比，与环境温度无关。
An 8-18 GHz MMIC LNA is designed and fabricated using 0.15-μm GaAs pHEMT process. The peak LNA is more than 23 dB gain at room temperature and more than 27 dB gain at 17.5 K. At 18 GHz, the room temperature noise figure is 1.5 dB, and the best effective noise temperature at 17.5 K is 20 K. The measured noise data of the LNA are then fitted for the temperature dependent model. The derived equivalent drain temperature is proportional to the drain current, independent of the ambient temperature.