Impact of B-doping on topological Hall resistivity in (111)- and (110)-oriented Mn4N single layers with the non-collinear spin structure
Impact of B-doping on topological Hall resistivity in (111)- and (110)-oriented Mn4N single layers with the non-collinear spin structure
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B掺杂对具有非共线自旋结构的(111)和(110)取向Mn4N单层拓扑霍尔电阻率的影响
DOI：
10.1063/5.0083042
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
Takahashi Yukiko K.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Isogami Shinji;Ohtake Mitsuru;Takahashi Yukiko K.
