界面窒化処理を施したSiC MOSデバイスのキャリア捕獲挙動評価
界面窒化処理を施したSiC MOSデバイスのキャリア捕獲挙動評価
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界面氮化处理SiC MOS器件的载流子捕获行为评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部 平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
勝 義仁;チャンタパン アタウット;細井 卓治;南園 悠一郎;木本 恒暢;志村 考功;渡部 平司
