Amorphous ZnOxNy thin films with high electron Hall mobility exceeding 200 cm2 V-1 s-1
Amorphous ZnOxNy thin films with high electron Hall mobility exceeding 200 cm2 V-1 s-1
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非晶ZnOxNy薄膜具有超过200 cm2 V-1 s-1的高电子霍尔迁移率
DOI：
10.1063/1.4973203
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
Tetsuya Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takanori Yamazaki;Kei Shigematsu;Yasushi Hirose;Shoichiro Nakao;Isao Harayama;Daiichiro Sekiba;Tetsuya Hasegawa
