Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon

Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon
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p型掺杂对硅外延量子点激光器强度噪声的影响

DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
3.6
通讯作者:
Frederic Grillot
Frederic Grillot
中科院分区:
物理与天体物理2区
文献类型:
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作者:
Jianan Duan;Yueguang Zhou;Bozhang Dong;Heming Huang;Justin Norman;Daehwan Jung;Zeyu Zhang;Cheng Wang;John Bowers;Frederic Grillot

文献摘要

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