Ba6Zn7Ga2S16: A Wide Band Gap Sulfide with Phase-Matchable Infrared NLO Properties
Ba6Zn7Ga2S16: A Wide Band Gap Sulfide with Phase-Matchable Infrared NLO Properties
复制标题
Ba6Zn7Ga2S16：具有相位匹配红外 NLO 特性的宽带隙硫化物
DOI：
10.1021/acs.chemmater.7b01321
复制
发表时间：
2017-06
影响因子：
8.6
通讯作者：
Wu Liming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Yanyan;Liu Pengfei;Wu Liming
由于目前市售的AgGaS2、AgGaSe2和ZnGeP2激光损伤阈值很低，大大缩短了它们的使用寿命，因此迫切需要具有大激光损伤阈值（LDTs）的高性能红外（IR）非线性光学（NLO）材料。在这里，一种新的硫化物，Ba6Zn7Ga2S16具有非常宽的带隙为3.5 eV，已被发现。该化合物在手性三角R3空间群中结晶，具有由ZnS 4四面体、Zn3GaS10超四面体（T2型）和Zn3GaS10四四面体簇通过顶点共享构造的新型3D框架。这种新型结构具有理想的功能，这表明一个有前途的NLO材料：相位匹配性（PM），良好的NLO效率（约一半的基准AgGaS2），和最高的LDT PM硫属化物（基准AgGaS2的28倍）。此外，密度泛函理论（DFT）计算证实了它的PM行为，并揭示了二次谐波产生（SHG）的起源主要归因于它的相变。
High-performance infrared (IR) nonlinear optical (NLO) materials with large laser damage thresholds (LDTs) are urgently needed because the current commercially available AgGaS2, AgGaSe2, and ZnGeP2 suffer their very low LDTs which shorten significantly their service lifetimes. Here, a novel sulfide, Ba6Zn7Ga2S16 with a very wide band gap of 3.5 eV, has been discovered. This compound crystallizes in the chiral trigonal R3 space group with a novel 3D framework that is constructed by ZnS4 tetrahedra, Zn3GaS10 supertetrahedra (a T2-type), and Zn3GaS10 quadri-tetrahedral clusters via vertex-sharing. Such a novel structure exhibits desirable features which suggest a promising NLO material: phase-matchability (PM), good NLO efficiency (about half that of benchmark AgGaS2), and the highest LDT among PM chalcogenides (28 times that of benchmark AgGaS2). In addition, the density functional theory (DFT) calculations confirm its PM behavior and reveal that the second harmonic generation (SHG) origin is mainly ascribe...
登录
查看更多内容
影响因子：
3.3
作者：
Maggard, PA;Nault, TS;Poeppelmeier, KR
通讯作者：
Poeppelmeier, KR
Ga2S3 的两相：具有非常高激光诱导损伤阈值的有前景的红外二阶非线性光学材料
影响因子：
6.4
作者：
Zhang, Ming-Jian;Jiang, Xiao-Ming;Zhou, Liu-Jiang;Guo, Guo-Cong
通讯作者：
Guo, Guo-Cong
DOI：
10.1007/bf00323839
发表时间：
1992-03
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
Kechen Wu;Chuangtian Chen
通讯作者：
Kechen Wu;Chuangtian Chen
影响因子：
1
作者：
Chen Chuang-tian
通讯作者：
Chen Chuang-tian
DOI：
--
发表时间：
1997-09
期刊：
arXiv: Materials Science
影响因子：
--
作者：
S. Rashkeev;W. Lambrecht;B. Segall
通讯作者：
S. Rashkeev;W. Lambrecht;B. Segall