Si単電子トランジスタにおけるexcited stateのゲート電圧による変化
Si単電子トランジスタにおけるexcited stateのゲート電圧による変化
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Si 单电子晶体管中栅极电压引起的激发态变化
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高橋 庸夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉岡 勇;竹中 浩人;内田 貴史;有田 正志;藤原 聡;高橋 庸夫
