Rareearth oxide capping effect on La_2O_3 gatedielectrics for equivalent oxidethickness scaling toward 0. 5 nm
Rareearth oxide capping effect on La_2O_3 gatedielectrics for equivalent oxidethickness scaling toward 0. 5 nm
复制标题
稀土氧化物对 La_2O_3 栅极电介质的覆盖效应，将等效氧化物厚度缩放至 0. 5 nm
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Iwai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Kouda;K. Kakushima;P. Ahmet;K. Tsutsui;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai
