井上幸二: "Reduction of interface-state density by F_2 treatment in a metaloxide-semiconductor diode prepared from a photochemical vapor deposited SiO_2 film" Applied Physics Letters. 55. 2402-2404 (1989)
井上幸二: "Reduction of interface-state density by F_2 treatment in a metaloxide-semiconductor diode prepared from a photochemical vapor deposited SiO_2 film" Applied Physics Letters. 55. 2402-2404 (1989)
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Koji Inoue：“在由光化学气相沉积 SiO_2 薄膜制备的金属氧化物半导体二极管中通过 F_2 处理降低界面态密度”《应用物理快报》55。2402-2404 (1989)。
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