Atomistic modeling of electron-phonon interaction and electron mobility in Si nanowires
Atomistic modeling of electron-phonon interaction and electron mobility in Si nanowires
复制标题
硅纳米线中电子-声子相互作用和电子迁移率的原子建模
DOI：
10.1063/1.3695999
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
M.Ogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Yamada;H.Tsuchiya;M.Ogawa
