A.Kikuchi et al.: "Improvement of crystal quality of RF-molecular beam epitaxy grown Ga-polarity GaN by high-temperature grown AlN multiple intermediate layers"Japanese Journal of Applied Physics. 39・4B. L330-L333 (2000)
A.Kikuchi et al.: "Improvement of crystal quality of RF-molecular beam epitaxy grown Ga-polarity GaN by high-temperature grown AlN multiple intermediate layers"Japanese Journal of Applied Physics. 39・4B. L330-L333 (2000)
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A. Kikuchi 等人：“通过高温生长 AlN 多个中间层提高 RF 分子束外延生长的 Ga 极性 GaN 的晶体质量”日本应用物理学杂志 39・4B (2000)。
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