Ti-mask selective area growth of GaN nanowalls by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy (Invited)
Ti-mask selective area growth of GaN nanowalls by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy (Invited)
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射频等离子体辅助分子束外延 Ti 掩模选择性区域生长 GaN 纳米墙（特邀）
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hoshino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Kikuchi;K. Kishino;T. Hoshino
