O2 Pressure Dependence of SiO2/Si Interfacial Oxidation Rate Studied by Real-time Photoelectron Spectroscopy
O2 Pressure Dependence of SiO2/Si Interfacial Oxidation Rate Studied by Real-time Photoelectron Spectroscopy
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实时光电子能谱研究SiO2/Si界面氧化速率对O2压力的依赖性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Takakuwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ogawa;A. Yoshigoe;S. Ishidzuka;Y. Takakuwa
