AKira Yamada: "Heavily Pーdoped (>10^<21>cm^<ー3>) Si and SiGe Films Grown by PhotoーCVD at 250℃" Journal of Electronic Materials. 19. 1083-1087 (1990)
AKira Yamada: "Heavily Pーdoped (>10^<21>cm^<ー3>) Si and SiGe Films Grown by PhotoーCVD at 250℃" Journal of Electronic Materials. 19. 1083-1087 (1990)
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AKira Yamada：“在 250℃ 下通过光 CVD 生长的重磷掺杂 (>10^<21>cm^<-3>) Si 和 SiGe 薄膜”《电子材料杂志》19. 1083-1087 (1990)。
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