Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics (審査済・発表決定)
Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics (審査済・発表決定)
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SOI CMOS 逻辑中单事件瞬态的基于器件物理的分析模型（经过审查并决定出版）
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.Kobayashi et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松浦基晴;來住直人;D.Kobayashi et al.
