J.Ishizaki,S.Goto,M.Kishida,T.Fukui and H.Hasegawa: "Mechanism of Multiatomic Step Formation during Metalorganic Chemical Vapor deposition Growth of GaAs on (001)Vicinal Surface Studied by Atomic Force MicroScopy." Jpn.J.Appl.Phys.Vol.33 Part1 No.1B. 721-
J.Ishizaki,S.Goto,M.Kishida,T.Fukui and H.Hasegawa: "Mechanism of Multiatomic Step Formation during Metalorganic Chemical Vapor deposition Growth of GaAs on (001)Vicinal Surface Studied by Atomic Force MicroScopy." Jpn.J.Appl.Phys.Vol.33 Part1 No.1B. 721-
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J.Ishizaki、S.Goto、M.Kishida、T.Fukui 和 H.Hasekawa：“通过原子力显微镜研究 (001) 邻位表面上砷化镓金属有机化学气相沉积生长过程中多原子阶梯形成的机制”。
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