SINAP低损耗型500 MHz 5-cell超导腔研究
SINAP低损耗型500 MHz 5-cell超导腔研究
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DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
Chinese Physics C
影响因子：
3.6
通讯作者：
刘建飞
刘建飞
中科院分区：
物理与天体物理3区
文献类型：
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作者：
郑湘;赵申杰;张志刚;刘建飞
文献摘要
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