イオン照射GaAs単結晶における電子フォノン結合系の量子コヒーレンス計測
イオン照射GaAs単結晶における電子フォノン結合系の量子コヒーレンス計測
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离子辐照砷化镓单晶电子-声子耦合系统的量子相干性测量
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中村一隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
丸橋司;萱沼洋輔;松本啓;木全哲也;鹿野豊;山本春也;南不二雄;中村一隆
