keV能量电子致Al, Ti, Zr, W, Au元素厚靶特征X射线产额与截面的研究
keV能量电子致Al, Ti, Zr, W, Au元素厚靶特征X射线产额与截面的研究
复制标题
keV容量电元素Al、Ti、Zr、W、Au元素厚度专项勘探
DOI：
10.7498/aps.69.20200264
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
李玲
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
李颖涵;安竹;朱敬军;李玲
本文使用5—27 keV能量范围的电子轰击纯厚Al (Z = 13), Ti (Z = 22), Zr (Z = 40), W (Z = 74)和Au (Z =79)靶, 利用硅漂移探测器(SDD)收集产生的X射线, 给出了K, L壳层特征X射线产额的测量结果, 并将所得实验数据与基于扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟值进行了比较, 两者在小于或约为10%的范围内符合. 根据测得的特征X射线产额进一步得到了相应的内壳层电离截面或特征X射线产生截面. 通过对比电子入射角度为45°和90°的两种情况下解析模型与蒙特卡罗模拟的特征X射线产额, 发现在入射角度为90°时两者符合较好. 同时, 本文还给出了次级电子、轫致辐射光子对特征X射线产额的贡献, 该贡献与入射电子能量关系较弱, 表现出与原子序数较密切的相关性.