(Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定
(Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定
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识别 GaN 和 AlN 的物理性质常数，以预测 (Al,Ga)N 基半导体的物理性质
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石井良太，船戸充，川上養一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Ishii;M. Funato;and Y. Kawakami;石井良太，船戸充，川上養一
