Full-band simulation of nano-scale MOSFETs based on a non-equili-rium Green's function method
Full-band simulation of nano-scale MOSFETs based on a non-equili-rium Green's function method
复制标题
基于非平衡格林函数法的纳米级MOSFET全带模拟
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Ogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Fitriawan;M. Ogawa
