An 8-bit 1.5GS/s flash ADC using post-manufacturing statistical selection
An 8-bit 1.5GS/s flash ADC using post-manufacturing statistical selection
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使用制造后统计选择的 8 位 1.5GS/s 闪存 ADC
DOI：
10.1109/cicc.2010.5617410
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
L. Pileggi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Proesel;Gokce Keskin;J. Plouchart;L. Pileggi
介绍了一种8位、1.5GS/s的Flash ADC。比较器使用统计选择进行数字校准。实现了1.32 LSB的INL和1.23 LSB的DNL。平均比较器噪声为5 mVrms（1.3 LSB），低频时SNDR限制为37 dB。总功率为35 mW，S&H为20 mW，ADC内核为15 mW。品质因数为0.42 pJ/conv，是1+GS/s、7+位ADC的最佳报告值。
An 8-bit, 1.5GS/s flash ADC is presented. Comparators are digitally calibrated using statistical selection. INL of 1.32 LSB and DNL of 1.23 LSB are achieved. Average comparator noise of 5mVrms (1.3 LSB) limits SNDR to 37dB at low frequencies. Total power is 35mW, 20mW in the S&H and 15mW in the ADC core. The figure of merit is 0.42pJ/conv, the best reported for 1+GS/s, 7+-bit ADCs.