Microwave photoconductivity decay under gate-bias application to detect charge traps in Si-MOS devices
Microwave photoconductivity decay under gate-bias application to detect charge traps in Si-MOS devices
复制标题
栅极偏置应用下的微波光电导衰减检测 Si-MOS 器件中的电荷陷阱
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and N. Usami
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Sato;S. Miyamoto;and N. Usami
