SEM/STM/RHEED Study on Graphene Growth and Oxygen Etching on 6H-SiC(0001) Surface
SEM/STM/RHEED Study on Graphene Growth and Oxygen Etching on 6H-SiC(0001) Surface
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6H-SiC(0001)表面石墨烯生长及氧刻蚀的SEM/STM/RHEED研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Chenxing Wang and Yahachi Saito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hitoshi Nakahara;Chenxing Wang and Yahachi Saito
