シリコン基板への単一極性GaN成長を可能にするエピタキシャルZrB_2薄膜

シリコン基板への単一極性GaN成長を可能にするエピタキシャルZrB_2薄膜
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外延ZrB_2薄膜可在硅衬底上实现单极GaN生长

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
日本物理学会誌 61巻・7号
影响因子:
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通讯作者:
櫻井利夫
櫻井利夫
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
高村(山田)由起子;王治涛;藤川安仁;櫻井利夫

文献摘要

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