窒化処理を施したTi 箔上へのⅢ族窒化物半導体ナノ結晶の成長と発光特性
窒化処理を施したTi 箔上へのⅢ族窒化物半導体ナノ結晶の成長と発光特性
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氮化钛箔上III族氮化物半导体纳米晶的生长及发光性能
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷口真悟， 齋藤宇， 玉城正義， グェンドゥックチュン， 齋藤翼， 佐藤祐一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Ishinabe;Yuya Horii;Yosei Shibata;Hideo Fujikake;谷口真悟， 齋藤宇， 玉城正義， グェンドゥックチュン， 齋藤翼， 佐藤祐一
