Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Sige-on-Insulator with Uniform Lateral Composition
Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Sige-on-Insulator with Uniform Lateral Composition
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具有均匀横向成分的绝缘体上 Sige 的偏析控制快速熔化生长
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Matsumura;T. Sadoh;and M. Miyao
