Investigations of mode beat frequencies of external cavity semiconductor lasers
Investigations of mode beat frequencies of external cavity semiconductor lasers
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外腔半导体激光器模式拍频研究
DOI：
10.1007/s00340-013-5459-5
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wolfgang Elsäßer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Britta Leonhäuser-Rein;Lukas Drzewietzki;Florian Schad;Wolfgang Elsäßer
我们对通过量子点和量子级联主动增益介质实现的外腔半导体激光器的模式拍频的腔参数依赖性进行了全面的研究。通过考虑 Anthony E. Siegman 三镜腔模型描述，可以充分解释模式拍频对腔长度的依赖关系与简单的超长定律的偏差。
We present comprehensive studies on cavity parameter dependencies of the mode beat frequencies of external-cavity semiconductor lasers realized by quantum dot- and quantum cascade-active gain media. The observed deviation of the mode beat frequency dependence on cavity length from a simple one-over-length law can be fully explained by considering the Anthony E. Siegman three-mirror cavity model description.
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