Characterization of InAs QDs on a thin GaPN buffer layer by MOCVD
Characterization of InAs QDs on a thin GaPN buffer layer by MOCVD
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通过 MOCVD 表征薄 GaPN 缓冲层上的 InAs QD
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮本智之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田辺悟;鈴木亮一郎;仙石知行;根本幸祐;宮本智之
