垂直ブリッジマン(VB)法によるMg_2Si結晶育成及びBiドープによる熱電特性の変化
垂直ブリッジマン(VB)法によるMg_2Si結晶育成及びBiドープによる熱電特性の変化
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垂直布里奇曼（VB）法生长Mg_2Si晶体以及Bi掺杂引起的热电性能变化
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
深野 正嵩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Akasaka;M. Akasaka;M.Akasaka;M.Akasaka;T.Baba;T.Nemoto;J. Sato;M. Fukano;Y. Oguni;M. Akasaka;中澤 直人;深野 正嵩
