Fundamental oscillations at ～900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures
Fundamental oscillations at ～900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures
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具有尖峰掺杂结构的 RTD 中具有低偏置电压的 ~900 GHz 基本振荡
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Suzuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
長谷川優子;中川真一;S.Suzuki
使用集成偏置缝隙天线的 430-460 GHz RTD 振荡器，具有高输出功率 (~200 μW)
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
Yamanaka;S.;H.Saito;加藤雅恒;S.Suzuki
通讯作者：
S.Suzuki