Effect of Atomic Layer Etching using Nitrogen Plasma on Hall Accumulation at MIS Interface of GaN Polarization-Junction Substrate
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氮等离子体原子层刻蚀对 GaN 偏振结衬底 MIS 界面霍尔积累的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kazuo Tsutsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuya Hoshii;Shonosuke Kimura;Kuniyuki Kakushima;Hithoshi Wakabayashi;and Kazuo Tsutsui
