Band Alignment and Interface Recombination in NiO/beta-Ga2O3 Type-II p-n Heterojunctions
Band Alignment and Interface Recombination in NiO/beta-Ga2O3 Type-II p-n Heterojunctions
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NiO/β-Ga2O3 II 型 p-n 异质结中的能带排列和界面重组
DOI：
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发表时间：
2020
影响因子：
3.1
通讯作者：
ong Ye
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hehe Gong;Xuanhu Chen;Yang Xu;Yanting Chen;Fang-Fang Ren;Bin Liu;Shulin Gu;Rong Zhang;Ji;ong Ye
