Relative motion improvement and parameter optimization in slurryless electrochemical mechanical polishing of 4 inch 4H-SiC wafers
Relative motion improvement and parameter optimization in slurryless electrochemical mechanical polishing of 4 inch 4H-SiC wafers
复制标题
4英寸4H-SiC晶圆无浆电化学机械抛光相对运动改进及参数优化
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Yamamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Gu;Xu Yang;X. Yang;K. Kawai;K. Arima;K. Yamamura
