Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
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使用等离子体增强反应工艺低温形成高迁移率 a-InGaZnOx 薄膜
DOI：
10.7567/1347-4065/ab219c
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发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
Setsuhara Yuichi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takenaka Kosuke;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi
