超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ
超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ
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超音速氧分子束辐照对HfSi2/Si(111)表面的氧化及反应势垒高度
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉越章隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
垣内拓大;白石朗;山根 亮太郎;矢野 貴大;津田泰孝;吉越章隆
