Evaluation of strain induced by implantation in SOI materials

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SOI 材料中注入引起的应变评估

DOI：
10.1002/pssc.200306240
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Camassel
J. Camassel
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
A. Tiberj;B. Fraisse;C. Blanc;S. Contreras;J. Camassel

文献摘要

被引文献

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本文报道了SOI材料中注入损伤和退火的影响。对于目标掺杂水平高达6 × 1018 cm-3，我们表明，可以获得良好的恢复与最终的电性能接近的体材料之一。
We report on the effect of implantation damage and annealing in SOI material. For targeted doping level up to 6 × 1018 cm–3, we show that good recovery can be obtained with final electrical properties close to one of the bulk materials.