GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection
GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection
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适用于所有电信频段检测的 GeSn p-i-n 光电探测器
DOI：
10.1364/oe.19.006408
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发表时间：
2011-03-28
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Wang, Qiming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Su, Shaojian;Cheng, Buwen;Wang, Qiming
用分子束外延技术在Si（001）衬底上生长了820 nm厚的高质量Ge_（0.97）Sn_（0.03）合金薄膜，制备了GeSn p-i-n光电探测器。在1V的反向偏压下，探测器在1310 nm、1540 nm和1640 nm处具有相对高的响应度，例如分别为0.52A/W、0.23A/W和0.12A/W。GeSn器件具有覆盖整个电信窗口的宽检测光谱（800-1800 nm），并与传统的互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容，因此在光通信和光互连领域具有广泛的应用前景。(C)2011年美国光学学会
Using a 820 nm-thick high-quality Ge0.97Sn0.03 alloy film grown on Si(001) by molecular beam epitaxy, GeSn p-i-n photodectectors have been fabricated. The detectors have relatively high responsivities, such as 0.52 A/W, 0.23 A/W, and 0.12 A/W at 1310 nm, 1540 nm, and 1640 nm, respectively, under a 1 V reverse bias. With a broad detection spectrum (800-1800 nm) covering the whole telecommunication windows and compatibility with conventional complementary metal-oxide-semiconductors (CMOS) technology, the GeSn devices are attractive for applications in both optical communications and optical interconnects. (C) 2011 Optical Society of America