Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy
Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长1.05 eV InGaAsP层的光致发光特性研究
DOI：
10.7498/aps.64.177802
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发表时间：
2015
影响因子：
1
通讯作者：
Ma Zhong-Quan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang Wen-Xian;Ji Lian;Dai Pan;Tan Ming;Wu Yuan-Yuan;Lu Jian-Ya;Li Bao-Ji;Gu Jun;Lu Shu-Long;Ma Zhong-Quan
