M.Nakaji, T.Egawa, H.Ishikawa, S.Arulkumaran, T.Jimbo: "Characteristics of BC13 Plasma-Etched GaN Schottky Diodes"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.41,No.4B. L493-L495 (2002)
M.Nakaji, T.Egawa, H.Ishikawa, S.Arulkumaran, T.Jimbo: "Characteristics of BC13 Plasma-Etched GaN Schottky Diodes"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.41,No.4B. L493-L495 (2002)
复制标题
M.Nakaji、T.Ekawa、H.Ishikawa、S.Arulkumaran、T.Jimbo：“BC13 等离子蚀刻 GaN 肖特基二极管的特性”Jpn。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
