Mid-infrared plasmonic antennas made of electron-doped epitaxial germanium-on-silicon
Mid-infrared plasmonic antennas made of electron-doped epitaxial germanium-on-silicon
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由电子掺杂外延硅基锗制成的中红外等离子体天线
DOI：
10.1109/irmmw-thz.2013.6665614
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ortolani M
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ortolani M
我们正在开发一个用于中红外传感的全半导体等离子体平台，包括外延生长n掺杂锗薄膜，光谱测试和等离子体天线的电磁设计。
We are developing an all-semiconductor plasmonic platform for mid-infrared sensing which includes growth of epitaxial n-doped germanium films, spectroscopic test and electromagnetic design of plasmonic antennas.