RESONANT MODULATION OF SINGLE CONTACT MONOLITHIC SEMICONDUCTOR LASERS AT MILLIMETER WAVE FREQUENCIES

RESONANT MODULATION OF SINGLE CONTACT MONOLITHIC SEMICONDUCTOR LASERS AT MILLIMETER WAVE FREQUENCIES
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毫米波频率单接触单片半导体激光器的谐振调制

DOI：
10.1063/1.113930
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Lau
K. Lau
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
D. Cutrer;J. B. Georges;T. C. Wu;B. Wu;K. Lau

文献摘要

被引文献

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演示了单接触半导体激光器在 40 GHz 腔往返频率下的谐振调制。利用毫米波调制信号沿激光条纹的高衰减，通过单个接触装置获得有效的模式耦合。使用激光器的分布式电路模型分析了该技术的特性和局限性。
Resonant modulation of a single contact semiconductor laser at the cavity roundtrip frequency of 40 GHz is demonstrated. Efficient mode coupling is obtained with a single contact device by utilizing the high attenuation of the millimeter‐wave modulation signal along the laser stripe. The properties and limitations of this technique are analyzed using a distributed circuit model of the laser.