Low-leakage-current enhancement-mode AIGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact
Low-leakage-current enhancement-mode AIGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact
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采用 p 型栅极接触的低漏电流增强型 AIGaN/GaN 异质结构场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Amano and I.Akasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Tsuyukuchi;K.Nagamatsu;Y.Hirose;M.Iwaya;S.Kamiyama;H.Amano and I.Akasaki
