電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
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CMOS图像传感器，电荷电压转换增益为240uV/e-，饱和电子数为200ke-，灵敏度波长带为190-1000nm。
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須川成利
中科院分区：
文献类型：
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作者：
那須野悟史;若嶋駿一;楠原史章;黒田理人;須川成利
