Kr-plasma sputtering for Pt gate electrode deposition on MFSFET with 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory application
Kr-plasma sputtering for Pt gate electrode deposition on MFSFET with 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory application
复制标题
用于模拟存储器应用的具有 5 nm 厚铁电非掺杂 HfO2 栅极绝缘体的 MFSFET 上的 Pt 栅极电极沉积的 Kr 等离子体溅射
DOI：
--
复制
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Shun-ichiro Ohmi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Joong-Won Shin;Masakazu Tanuma;and Shun-ichiro Ohmi
