Yasuo Koide: "Growth Processes in the Initial Stage of Ge Films on(811)Si Surfaces by GeH_4 Source Molecular Beam Epitaxy." Journal of Applied Physicis(投稿中).
Yasuo Koide: "Growth Processes in the Initial Stage of Ge Films on(811)Si Surfaces by GeH_4 Source Molecular Beam Epitaxy." Journal of Applied Physicis(投稿中).
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Yasuo Koide：“GeH_4 源分子束外延法在 (811)Si 表面上形成 Ge 薄膜的初始阶段”。《应用物理学杂志》（进行中）。
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